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 新闻资讯     |      2019-11-17 03:43
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  空载损耗:指变压器次级开路时在初级测得功率损耗。按铁芯或线圈结构分类:芯式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、壳式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、环型变压器、金属箔变压器。在额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。、触点切换电压和电流是指继电器允许加载的电压和电流。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。当线圈断电后电磁的吸力也随之消失衔铁就会在弹簧的反作用力返回原来的位置使动触点与原来的静触点(常闭触点)吸合。、色标法:用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。按开关型式可分为常开型和常闭型。*若权利人发现爱问平台上用户上传内容侵犯了其作品的信息网络传播权等合法权益时,VSB二次击穿电压VBB基极(直流)电源电压(外电路参数)Vcc集电极(直流)电源电压(外电路参数)VEE发射极(直流)电源电压(外电路参数)VCE(sat)发射极接地规定Ic、IB条件下的集电极发射极间饱和压降VBE(sat)发射极接地规定Ic、IB条件下基极发射极饱和压降(前向压降)VAGC正向自动增益控制电压Vn(pp)输入端等效噪声电压峰值Vn噪声电压Cj结(极间)电容表示在二极管两端加规定偏压下锗检波二极管的总电容Cjv偏压结电容Co零偏压电容Cjo零偏压结电容CjoCjn结电容变化Cs管壳电容或封装电容Ct总电容CTV电压温度系数。一般情况下继电器的释放电压约在吸合电压的~%如果释放电压太小(小于的吸合电压)则不能正常使用了这样会对电路的稳定性造成威胁工作不可*。关于电子电路基础知识37295.doc文档,硅二极管结温不高于度所能承受的最大功率PMP最大漏过脉冲功率PMS最大承受脉冲功率Po输出功率PR反向浪涌功率Ptot总耗散功率Pomax最大输出功率Psc连续输出功率PSM不重复浪涌功率PZM最大耗散功率。第二部分:材料用字母表示表示电阻体用什么材料组成T碳膜、H合成碳膜、S有机实心、N无机实心、J金属膜、Y氮化膜、C沉积膜、I玻璃釉膜、X线绕。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF正向总瞬时电流iR反向总瞬时电流ir反向恢复电流Iop工作电流Is稳流二极管稳定电流f频率n电容变化指数电容比Q优值(品质因素)δvz稳压管电压漂移didt通态电流临界上升率dvdt通态电压临界上升率PB承受脉冲烧毁功率PFT(AV)正向导通平均耗散功率PFTM正向峰值耗散功率PFT正向导通总瞬时耗散功率Pd耗散功率PG门极平均功率PGM门极峰值功率PC控制极平均功率或集电极耗散功率Pi输入功率PK最大开关功率PM额定功率!

  在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,对于小型电器如玩具、遥控装置则应选用超小型继电器产品四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。一、分类按冷却方式分类:干式(自冷)变压器、油浸(自冷)变压器、氟化物(蒸发冷却)变压器。发光二极管极限电流。这种命名方法由四个基本部分组成各部分的符号及意义如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料。三、音频变压器和高频变压器特性参数频率响应指变压器次级输出电压随工作频率变化的特性。、电磁继电器的工作原理和特性电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、触点簧片等组成的。通常变压器的额定功率愈大效率就愈高。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=πfL、品质因素Q品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量Q为感抗XL与其等效的电阻的比值即:Q=XLR线圈的Q值愈高回路的损耗愈小。施工合同亦称“工程合同”或“包工合同”。

  、直流电阻是指继电器中线圈的直流电阻可以通过万能表测量。线绕电阻器额定功率系列为(W):、、、、、、、、、、、、、、、、、非线绕电阻器额定功率系列为(W):、、、、、、、、、、、额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)正向过载电流IL光电流或稳流二极管极限电流ID暗电流IB单结晶体管中的基极调制电流IEM发射极峰值电流IEB双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB双基极单结晶体管中发射极向电流ICM最大输出平均电流IFMP正向脉冲电流IP峰点电流IV谷点电流IGT晶闸管控制极触发电流IGD晶闸管控制极不触发电流IGFM控制极正向峰值电流IR(AV)反向平均电流IR(In)反向直流电流(反向漏电流)。偏差通常采用文字符号表示。三、常用线圈、单层线圈单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。二极管、三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

  它决定了继电器能控制电压和电流的大小使用时不能超过此值否则很容易损坏继电器的触点。按电源相数分类:单相变压器、三相变压器、多相变压器。在正向导通时电流随电压指数的增加呈现明显的非线性特性。在小型化、高可*、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。当三极管功率增益等于时的工作频率hFE共发射极静态电流放大系数hIE共发射极静态输入阻抗hOE共发射极静态输出电导hRE共发射极静态电压反馈系数hie共发射极小信号短路输入阻抗hre共发射极小信号开路电压反馈系数hfe共发射极小信号短路电压放大系数hoe共发射极小信号开路输出导纳IB基极直流电流或交流电流的平均值Ic集电极直流电流或交流电流的平均值IE发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo基极接地发射极对地开路在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo发射极接地基极对地开路在规定的反向电压VCE条件下集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo基极接地集电极对地开路在规定的反向电压VEB条件下发射极与基极之间的反向截止电流Icer基极与发射极间串联电阻R集电极与发射极间的电压VCE为规定值时集电极与发射极之间的反向截止电流Ices发射极接地基极对地短路在规定的反向电压VCE条件下集电极与发射极之间的反向截止电流Icex发射极接地基极与发射极间加指定偏压在规定的反向偏压VCE下集电极与发射极之间的反向截止电流ICM集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。最后考虑尺寸是否合适。用C表示电容电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),如:BDX表示NPN硅低频大功率三极管AFS表示PNP锗高频小功率三极管。

  五、电容器容量标示、直标法用数字和单位符号直接标出。表示允许误差的文字符号文字符号DFGJKM允许偏差±±±±±±、数码法:在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。若手头已有继电器可依据资料核对是否可以利用。、薄膜电阻器:碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。其后缀的第一部分是一个字母表示稳定电压值的容许误差范围字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±、±、±、±、±其后缀第二部分是数字表示标称稳定电压的整数数值后缀的第三部分是字母V代表小数点字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。高频旁路:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。按电解质分类有:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。三极管BG导通!

  在空芯线圈中插入铁氧体磁芯可增加电感量和提高线圈的品质因素。这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,24V...简介:本文档为《电子电路基础知识37295doc》,测试反向电参数时给定的反向电流Izk稳压管膝点电流IOM最大正向(整流)电流。这种触点组共有三个触点即中间是动触点上下各一个静触点。第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志!

  除专门的电感线圈(色码电感)外电感量一般不专门标注在线圈上而以特定的名称标注。A器件使用材料的禁带宽度Eg=~eV如锗、B器件使用材料的Eg=~eV如硅、C器件使用材料的EgeV如砷化镓、D器件使用材料的EgeV如锑化铟、E器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。、气敏电阻利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成主要成分是金属氧化物主要品种有:金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。小型电容:金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。请先进入【个人中心】-【账号管理】-【设置密码】完成设置6.3伏0.15A指示灯泡,第三部分:分类一般用数字表示个别用字母表示。电路设计基础知识(二)一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。绕线电阻具有较低的温度系数阻值精度高稳定性好耐热耐腐蚀主要做精密大功率电阻使用缺点是高频性能差时间常数大。导电塑料电位器用特殊工艺将DAP(邻苯二甲酸二稀丙脂)电阻浆料覆在绝缘机体上加热聚合成电阻膜或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。有机实心电位器有机实心电位器是一种新型电位器它是用加热塑压的方法将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。在某一正向电压下电压增加微小量△V正向电流相应增加△I则△V△I称微分电阻RBB双基极晶体管的基极间电阻RE射频电阻RL负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th)jc结到壳的热阻rδ衰减电阻r(th)瞬态电阻Ta环境温度Tc壳温td延迟时间tf下降时间tfr正向恢复时间tg电路换向关断时间tgt门极控制极开通时间Tj结温Tjm最高结温ton开通时间toff关断时间tr上升时间trr反向恢复时间ts存储时间tstg温度补偿二极管的贮成温度a温度系数λp发光峰值波长△λ光谱半宽度η单结晶体管分压比或效率VB反向峰值击穿电压Vc整流输入电压VBB基极间电压VBE发射极与第一基极反向电压VEB饱和压降VFM最大正向压降(正向峰值电压)VF正向压降(正向直流电压)△VF正向压降差VDRM断态重复峰值电压VGT门极触发电压VGD门极不触发电压VGFM门极正向峰值电压VGRM门极反向峰值电压VF(AV)正向平均电压Vo交流输入电压VOM最大输出平均电压Vop工作电压Vn中心电压Vp峰点电压VR反向工作电压(反向直流电压)VRM反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)击穿电压Vth阀电压(门限电压)VRRM反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM反向工作峰值电压Vv谷点电压Vz稳定电压△Vz稳压范围电压增量Vs通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av电压温度系数Vk膝点电压(稳流二极管)VL极限电压三、场效应管参数符号意义Cds漏源电容Cdu漏衬底电容Cgd栅源电容Cgs漏源电容Ciss栅短路共源输入电容Coss栅短路共源输出电容Crss栅短路共源反向传输电容D占空比(占空系数外电路参数)didt电流上升率(外电路参数)dvdt电压上升率(外电路参数)ID漏极电流(直流)IDM漏极脉冲电流ID(on)通态漏极电流IDQ静态漏极电流(射频功率管)IDS漏源电流IDSM最大漏源电流IDSS栅源短路时漏极电流IDS(sat)沟道饱和电流(漏源饱和电流)IG栅极电流(直流)IGF正向栅电流IGR反向栅电流IGDO源极开路时截止栅电流IGSO漏极开路时截止栅电流IGM栅极脉冲电流IGP栅极峰值电流IF二极管正向电流IGSS漏极短路时截止栅电流IDSS对管第一管漏源饱和电流IDSS对管第二管漏源饱和电流Iu衬底电流Ipr电流脉冲峰值(外电路参数)gfs正向跨导Gp功率增益Gps共源极中和高频功率增益GpG共栅极中和高频功率增益GPD共漏极中和高频功率增益ggd栅漏电导gds漏源电导K失调电压温度系数Ku传输系数L负载电感(外电路参数)LD漏极电感Ls源极电感rDS漏源电阻rDS(on)漏源通态电阻rDS(of)漏源断态电阻rGD栅漏电阻rGS栅源电阻Rg栅极外接电阻(外电路参数)RL负载电阻(外电路参数)R(th)jc结壳热阻R(th)ja结环热阻PD漏极耗散功率PDM漏极最大允许耗散功率PIN输入功率POUT输出功率PPK脉冲功率峰值(外电路参数)to(on)开通延迟时间td(off)关断延迟时间ti上升时间ton开通时间toff关断时间tf下降时间trr反向恢复时间Tj结温Tjm最大允许结温Ta环境温度Tc管壳温度Tstg贮成温度VDS漏源电压(直流)VGS栅源电压(直流)VGSF正向栅源电压(直流)VGSR反向栅源电压(直流)VDD漏极(直流)电源电压(外电路参数)VGG栅极(直流)电源电压(外电路参数)Vss源极(直流)电源电压(外电路参数)VGS(th)开启电压或阀电压V(BR)DSS漏源击穿电压V(BR)GSS漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)漏源通态电压VDS(sat)漏源饱和电压VGD栅漏电压(直流)Vsu源衬底电压(直流)VDu漏衬底电压(直流)VGu栅衬底电压(直流)Zo驱动源内阻η漏极效率(射频功率管)Vn噪声电压aID漏极电流温度系数ards漏源电阻温度系数电路设计基础知识()继电器一、继电器的工作原理和特性继电器是一种电子控制器件它具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路)通常应用于自动控制电路中它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器就结构而言可分为箔片式及被银式。调谐:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。而其旋转一周导线来回弯折的次数常称为折点数。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。

  频率特性好Q值高温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中并可用作标准电容器、玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成介质再以银层电极经烧结而成独石结构性能可与云母电容器媲美能耐受各种气候环境一般可在℃或更高温度下工作额定工作电压可达V损耗tgδ~四、电容器主要特性参数:、标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。反向电阻降低到一个很少的数值,第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:DG表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件由五至七部分组成。、允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差它表示电阻器的精度。JAN军级、JANTX特军级、JANTXV超特军级、JANS宇航级、(无)非军用品。A检波开关混频二极管、B变容二极管、C低频小功率三极管、D低频大功率三极管、E隧道二极管、F高频小功率三极管、G复合器件及其他器件、H磁敏二极管、K开放磁路中的霍尔元件、L高频大功率三极管、M封闭磁路中的霍尔元件、P光敏器件、Q发光器件、R小功率晶闸管、S小功率开关管、T大功率晶闸管、U大功率开关管、X倍增二极管、Y整流二极管、Z稳压二极管。控制电路应能给继电器提供足够的工作电流否则继电器吸合是不稳定的。、噪声:产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏包括热噪声和电流噪声两部分热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动使导体任意两点的电压不规则变化。二、电源变压器的特性参数工作频率变压器铁芯损耗与频率关系很大故应根据使用频率来设计和使用这种频率称工作频率。按用途分类:电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。

  、测线圈电阻可用万能表R×Ω档测量继电器线圈的阻值从而判断该线圈是否存在着开路现象。普通、普通、超高频、高阻、高温、精密、精密、高压、特殊、G高功率、T可调。发光二极管极限电流。按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。登录成功,如:表示×PF=PF表示×PF=uF、电容容量误差表耐压(V)电流(A)均为三、稳压二极管稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件在这临界击穿点上,爱问共享资料拥有内容丰富的相关文档,引线电感极小频率特性好介电损耗小有温度补偿作用不能做成大的容量受振动会引起容量变化特别适于高频旁路、独石电容器(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料叠合后一次绕结成一块不可分割的整体外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型电容器高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能体积极小Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路、纸质电容器一般是用两条铝箔作为电极中间以厚度为~mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态、电弧抑制电路如图:在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话,五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家如德国、荷兰采用如下命名方法。用L表示单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)H=^mH=^uH。由于其本身即是氧化物所以高温下稳定耐热冲击负载能力强。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制折点越多分布电容越小、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈线圈的电感量大小与有无磁芯有关。、阻流圈(扼流圈)限制交流电通过的线圈称阻流圈分高频阻流圈和低频阻流圈。第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。依次分别代表名称、材料、分类和序号!

  A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。这些模板也许能够帮到你。只要在线圈两端加上一定的电压线圈中就会流过一定的电流从而产生电磁效应衔铁就会在电磁力吸引的作用下克服返回弹簧的拉力吸向铁芯从而带动衔铁的动触点与静触点(常开触点)吸合。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。电路基础知识(一)电路基础知识()电阻导电体对电流的阻碍作用称着电阻用符号R表示单位为欧姆、千欧、兆欧分别用Ω、KΩ、MΩ表示。这种电容器不宜使用在脉冲电路中因为它们易于被脉冲电压击穿。对于继电器的“常开、常闭”触点可以这样来区分:继电器线圈未通电时处于断开状态的静触点称为“常开触点”处于接通状态的静触点称为“常闭触点”。F=^uF=^pF一、电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)?

  请按照平台侵权处理要求书面通知爱问!按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。绕线电位器绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体并把它绕在绝缘骨架上制成。、释放电流是指继电器产生释放动作的最大电流。、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL单位是欧姆。、测量释放电压和释放电流也是像上述那样连接测试当继电器发生吸合后再逐渐降低供电电压当听到继电器再次发生释放声音时记下此时的电压和电流亦可尝试多几次而取得平均的释放电压和释放电流。不宜使用在kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波、钽电解电容器用烧结的钽块作正极,两位以上的整数从“”开始表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号数字越大越是近期产品。如R表示电阻W表示电位器。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF正向总瞬时电流iR反向总瞬时电流ir反向恢复电流Iop工作电流Is稳流二极管稳定电流f频率n电容变化指数电容比Q优值(品质因素)δvz稳压管电压漂移didt通态电流临界上升率dvdt通态电压临界上升率PB承受脉冲烧毁功率PFT(AV)正向导通平均耗散功率PFTM正向峰值耗散功率PFT正向导通总瞬时耗散功率Pd耗散功率PG门极平均功率PGM门极峰值功率PC控制极平均功率或集电极耗散功率Pi输入功率PK最大开关功率PM额定功率。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高稳定性也好适用于高压电路、微调电容器电容量可在某一小范围内调整并可在调整后固定于某个电容值。

  前三位为有效数字第四位为乘方数第五位为偏差。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差在允许的偏差范围称精度。按防潮方式分类:开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。当线圈在导通状态切断时,用断字的拼音字头“D”表示。第三部分:分类一般用数字表示个别类型用字母表示表示产品属于什么类型。四、电阻器阻值标示方法、直标法:用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值其允许误差直接用百分数表示若电阻上未注偏差则均为±。如晶体管收音机中波天线线圈。

  因为各种电压的稳压二极管都可以得到,按隔离型式可分为混合型、变压器隔离型和光电隔离型以光电隔离型为最多。稳压二极管是根据击穿电压来分档的,A、B、C、D、┄┄同一型号器件的不同档别。绕线电位器特点是接触电阻小精度高温度系数小其缺点是分辨力差阻值偏低高频特性差。、绝缘电阻直流电压加在电容上并产生漏电电流两者之比称为绝缘电阻当电容较小时主要取决于电容的表面状态容量〉uf时主要取决于介质的性能绝缘电阻越小越好。体积小精度高稳定性好由于其为片状元件所以高频性能好。这时的电流远远小于吸合电流。制造工艺简单价格便宜能得到较大的电容量一般在低频电路内通常不能在高于~MHz的频率上运用。、力敏电阻力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻国外称为压电电阻器。

  氧化物湿敏电阻性能较优越可长期使用温度影响小阻值与湿度变化呈线性关系。第二部分:材料用字母表示。常见后缀如下:、稳压二极管型号的后缀。选用继电器时一般控制电路的电源电压可作为选用的依据。故对于这种应用特别适宜图中的稳压二极管D是作为过压保护器件只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通,明确相互之间权利、义务关系的书面协议。在给定使用条件下稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)正向微分电阻。初、次级阻抗比变压器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri,一、电感的分类按电感形式分类:固定电感、可变电感。APNP型高频管、BPNP型低频管、CNPN型高频管、DNPN型低频管、FP控制极可控硅、GN控制极可控硅、HN基极单结晶体管、JP沟道场效应管、KN沟道场效应管、M双向可控硅。第四部分:A、B、C┄┄表示同一型号器件的变型产品。

  有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可*性高、耐磨性好的优点。电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可*性均优于普通电解电容器特别是漏电流极小贮存性良好寿命长容量误差小而且体积小单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差若损坏易呈短路状态超小型高可*机件中、薄膜电容器结构与纸质电容器相似但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好介电损耗小不能做成大的容量耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路、瓷介电容器穿心式或支柱式结构瓷介电容器它的一个电极就是安装螺丝。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。动断型(D型)线圈不通电时两触点是闭合的通电后两个触点就断开。若是用于一般用电器除考虑机箱容积外小型继电器主要考虑电路板安装布局。金属氧化膜电阻器在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低是目前应用最广泛的电阻器。按工作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。空载电流变压器次级开路时初级仍有一定的电流这部分电流称为空载电流。、文字符号法用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。它由感温磁环、恒磁环、干簧管、导热安装片、塑料衬底及其他一些附件组成。指发包方 (建设单位) 和承包方 (施工单位) 为完成商定的建筑安装工程施工任务,低频耦合:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。线圈不通电时动触点和其中一个静触点断开和另一个闭合线圈通电后动触点就移动使原来断开的成闭合原来闭合的成断开状态达到转换的目的。、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。同时在长方框内或长方框旁标上继电器的文字符号“J”。如uF表示微法有些电容用“R”表示小数点如R表示微法。PcW)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。P表示pF!

  美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分:用符号表示器件用途的类型。第二部分:用数字表示pn结数目。由此可以区别出那个是常闭触点那个是常开触点。、温度系数:温度每变化℃所引起的电阻值的相对变化。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高稳定性好噪声温度系数小。其它规格的有12V2W卡口,可适用于自然科学领域电子电路基础知识电子元器件基础知识第一节常用元器件的识别一、电阻银色±黑色棕色±红色±橙色黄色绿色±蓝色±紫色±灰色白色至无色±二、电容数字表示法:一般用三位数字表示容量大小前两位表示有效数字第三位数字是倍率。为求准确可以试多几次而求平均值。在测试电流下稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC电容温度系数Cvn标称电容IF正向直流电流(正向测试电流)。所以电解电容器具有极性容量大能耐受大的脉动电流容量误差大泄漏电流大普通的不适于在高频和低温下应用,、光敏电阻光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件当某种物质受到光照时载流子的浓度增加从而增加了电导率这就是光电导效应。通频带如果变压器在中间频率的输出电压为U当输出电压(输入电压保持不变)下降到U时的频率范围称为变压器的通频带B。IH恒定电流、维持电流?

  在额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。IRM反向峰值电流IRR晶闸管反向重复平均电流IDR晶闸管断态平均重复电流IRRM反向重复峰值电流IRSM反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp反向恢复电流Iz稳定电压电流(反向测试电流)。主要如下:碳膜电阻器将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。这样吸合、释放从而达到了在电路中的导通、切断的目的。、铜芯线圈铜芯线圈在超短波范围应用较多利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量这种调整比较方便、耐用。第四部分:序号用数字表示。绝缘电阻表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。IBM在集电极允许耗散功率的范围内能连续地通过基极的直流电流的最大值或交流电流的最大平均值ICMP集电极最大允许脉冲电流ISB二次击穿电流IAGC正向自动控制电流Pc集电极耗散功率PCM集电极最大允许耗散功率Pi输入功率Po输出功率Posc振荡功率Pn噪声功率Ptot总耗散功率ESB二次击穿能量rbb基区扩展电阻(基区本征电阻)rbbCc基极集电极时间常数即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie发射极接地交流输出短路时的输入电阻roe发射极接地在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE外接发射极电阻(外电路参数)RB外接基极电阻(外电路参数)Rc外接集电极电阻(外电路参数)RBE外接基极发射极间电阻(外电路参数)RL负载电阻(外电路参数)RG信号源内阻Rth热阻Ta环境温度Tc管壳温度Ts结温Tjm最大允许结温Tstg贮存温度td延迟时间tr上升时间ts存贮时间tf下降时间ton开通时间toff关断时间VCB集电极基极(直流)电压VCE集电极发射极(直流)电压VBE基极发射极(直流)电压VCBO基极接地发射极对地开路集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO基极接地集电极对地开路发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCEO发射极接地基极对地开路集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER发射极接地基极与发射极间串接电阻R集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES发射极接地基极对地短路集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX发射极接地基极与发射极之间加规定的偏压集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp穿通电压。、损耗电容在电场作用下在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。在测试电流下稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC电容温度系数Cvn标称电容IF正向直流电流(正向测试电流)。那么其发射极就输出恒定的V电压了这个电路在很多场合下都有应用由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别当变化取代可变电容用作调谐回路、振荡电路、锁相环路常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路多以硅材料制作。带开关的电位器有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器预调式电位器预调式电位器在电路中一旦调试好用蜡封住调节位置在一般情况下不再调节。Ii发光二极管起辉电流IFRM正向重复峰值电流IFSM正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io整流电流。

  当继电器吸合状态的电流减小到一定程度时继电器就会恢复到未通电的释放状态。因为这种特性,空载电流由磁化电流(产生磁通)和铁损电流(由铁芯损耗引起)组成。、最高工作电压:允许的最大连续工作电压。滤波:铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。、蜂房式线圈如果所绕制的线圈其平面不与旋转面平行而是相交成一定的角度这种线圈称为蜂房式线圈。在规定条件下能承受的正向最大瞬时电流在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM稳压二极管浪涌电流IZM最大稳压电流。、云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东结构简单但稳定性较差。电压比指变压器初级电压和次级电压的比值有空载电压比和负载电压比的区别。在测反向特性时给定的反向电流硅堆在正弦半波电阻性负载电路中加反向电压规定值时所通过的电流硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流稳压二极管在反向电压下产生的漏电流整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。、文字符号法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值其允许偏差也用文字符号表示。四、继电器的电符号和触点形式继电器线圈在电路中用一个长方框符号表示如果继电器有两个线圈就画两个并列的长方框!

  在仪器仪表及通讯设备中大量采用。符号前面的数字表示整数阻值后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。锗检波二极管在规定的正向电压VF下通过极间的电流硅整流管、硅堆在规定的使用条件下在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值)硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)正向平均电流IFM(IM)正向峰值电流(正向最大电流)。蜂房式绕法的优点是体积小分布电容小而且电感量大。2.5V0.3A螺纹,额定电压指在变压器的线圈上所允许施加的电压工作时不得大于规定值。如:JANNA表示PNP硅高频小功率开关三极管JAN军级、三极管、NEIA注册标志、EIA登记顺序号、ANA档。具有小的正电容温度系数的电容器用于高稳定振荡回路中作为回路电容器及垫整电容器。继电器的触点有三种基本形式:动合型(H型)线圈不通电时两触点是断开的通电后两个触点就闭合。这样的触点组称为转换触点。在给定使用条件下稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)正向微分电阻。、实心电阻器:无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。特点:价格低廉但其阻值误差、噪声电压都大稳定性差目前较少用。、实芯碳质电阻器用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。测试反向电参数时给定的反向电流Izk稳压管膝点电流IOM最大正向(整流)电流。所以当开关断开时。

  多位数字该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。、偏转线圈偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载偏转线圈要求:偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(FMHz,按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。一、电阻的型号命名方法:国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)第一部分:主称用字母表示表示产品的名字。对于Hz电源变压器而言空载电流基本上等于磁化电流。、频率特性随着频率的上升一般电容器的电容量呈现下降的规律。额定功率在规定的频率和电压下变压器能长期工作而不超过规定温升的输出功率。、晶闸管型号的后缀也是数字通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。二极管、=三极管、三个pn结器件、nn个pn结器件。当电阻为五环时最後一环与前面四环距离较大。根据继电器的型号不同可以是交流电压也可以是直流电压。如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它、串联型稳压电路(如图):在此电路中,、湿敏电阻由感湿层电极绝缘体组成湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻碳湿敏电阻氧化物湿敏电阻。硅二极管结温不高于度所能承受的最大功率PMP最大漏过脉冲功率PMS最大承受脉冲功率Po输出功率PR反向浪涌功率Ptot总耗散功率Pomax最大输出功率Psc连续输出功率PSM不重复浪涌功率PZM最大耗散功率。高频耦合:陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。每一只售价一元。、绕线电阻器用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。、电压系数:在规定的电压范围内电压每变化伏电阻器的相对变化量。二、电感线圈的主要特性参数、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性与电流大小无关?

  其集电极电位将由原来的高电平(V)变为低电平,、整流二极管后缀是数字表示器件的最大反向峰值耐压值单位是伏特。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。、半导体二极管参数符号及其意义CT势垒电容Cj结(极间)电容表示在二极管两端加规定偏压下锗检波二极管的总电容Cjv偏压结电容Co零偏压电容Cjo零偏压结电容CjoCjn结电容变化Cs管壳电容或封装电容Ct总电容CTV电压温度系数。二、继电器主要产品技术参数、额定工作电压是指继电器正常工作时线圈所需要的电压。线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的故容量只能变小不适合在需反复调试的场合使用、陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。国外电阻大部分采用色标法。、老化系数:电阻器在额定功率长期负荷下阻值相对变化的百分数它是表示电阻器寿命长短的参数。固态继电器按负载电源类型可分为交流型和直流型。主要损耗是铁芯损耗其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗(铜损)这部分损耗很小。

  站内每天千位行业名人共享最新资料。通常只用到前五个部分其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。慢慢调高电源电压听到继电器吸合声时记下该吸合电压和吸合电流。另一种是按照电路连接的需要把各个触点分别画到各自的控制电路中通常在同一继电器的触点与线圈旁分别标注上相同的文字符号并将触点组编上号码以示区别。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小缺点为测试范围小特性重复性不好受温度影响大。转换型(Z型)这是触点组型。直滑式电位器采用直滑方式改变电阻值。线圈的Q值通常为几十到几百。、敏感电阻器:压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。、压敏电阻主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻氧化锌具有更多的优良特性。主要品种有硅力敏电阻器硒碲合金力敏电阻器相对而言合金电阻器具有更高灵敏度。D导通,恒磁环能否向干簧管提供磁力是由感温磁环的温控特性决定的。

  IRM反向峰值电流IRR晶闸管反向重复平均电流IDR晶闸管断态平均重复电流IRRM反向重复峰值电流IRSM反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp反向恢复电流Iz稳定电压电流(反向测试电流)。低频旁路:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。特点是:平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可*性极高、耐化学腐蚀。阻值随温度升高而增大的为正温度系数反之为负温度系数。在正常使用时给定的电流必须略大于吸合电流这样继电器才能稳定地工作。在阻抗匹配的情况下变压器工作在最佳状态传输效率最高。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。耐潮湿高温温度系数小主要应用于厚膜电路。由于其导电层呈现颗粒状结构所以其噪声大精度低主要用他制造高压高阻小型电阻器。IH恒定电流、维持电流。继电器的触点有两种表示方法:一种是把它们直接画在长方框一侧这种表示法较为直观。使变压器初、次级阻抗匹配则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比。三位数字代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字表示专用半导体器件的登记序号?

  p表示pF,第一部分:名称用字母表示电容器用C。在直流电场的作用下电容器的损耗以漏导损耗的形式存在一般较小在交变电场的作用下电容的损耗不仅与漏导有关而且与周期性的极化建立过程有关。合成碳膜电位器电阻体是用经过研磨的碳黑石墨石英等材料涂敷于基体表面而成该工艺简单是目前应用最广泛的电位器。在基极电路中集电极与基极间输出电容Coe共发射极输出电容Coeo共发射极开路输出电容Cre共发射极反馈电容Cic集电结势垒电容CL负载电容(外电路参数)Cp并联电容(外电路参数)BVcbo发射极开路集电极与基极间击穿电压BVceo基极开路CE结击穿电压BVebo集电极开路EB结击穿电压BVces基极与发射极短路CE结击穿电压BVcer基极与发射极串接一电阻CE结击穿电压D占空比fT特征频率fmax最高振荡频率。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。三、继电器测试、测触点电阻用万能表的电阻档测量常闭触点与动点电阻其阻值应为而常开触点与动点的阻值就为无穷大。、固态继电器(SSR)的工作原理和特性固态继电器是一种两个接线端为输入端另两个接线端为输出端的四端器件中间采用隔离器件实现输入输出的电隔离。合成膜电阻将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得因此也叫漆膜电阻。在某一正向电压下电压增加微小量△V正向电流相应增加△I则△V△I称微分电阻RBB双基极晶体管的基极间电阻RE射频电阻RL负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th)jc结到壳的热阻rδ衰减电阻r(th)瞬态电阻Ta环境温度Tc壳温td延迟时间tf下降时间tfr正向恢复时间tg电路换向关断时间tgt门极控制极开通时间Tj结温Tjm最高结温ton开通时间toff关断时间tr上升时间trr反向恢复时间ts存储时间tstg温度补偿二极管的贮成温度a温度系数λp发光峰值波长△λ光谱半宽度η单结晶体管分压比或效率VB反向峰值击穿电压Vc整流输入电压VBB基极间电压VBE发射极与第一基极反向电压VEB饱和压降VFM最大正向压降(正向峰值电压)VF正向压降(正向直流电压)△VF正向压降差VDRM断态重复峰值电压VGT门极触发电压VGD门极不触发电压VGFM门极正向峰值电压VGRM门极反向峰值电压VF(AV)正向平均电压Vo交流输入电压VOM最大输出平均电压Vop工作电压Vn中心电压Vp峰点电压VR反向工作电压(反向直流电压)VRM反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)击穿电压Vth阀电压(门限电压)VRRM反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM反向工作峰值电压Vv谷点电压Vz稳定电压△Vz稳压范围电压增量Vs通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av电压温度系数Vk膝点电压(稳流二极管)VL极限电压二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc集电极电容Ccb集电极与基极间电容Cce发射极接地输出电容Ci输入电容Cib共基极输入电容Cie共发射极输入电容Cies共发射极短路输入电容Cieo共发射极开路输入电容Cn中和电容(外电路参数)Co输出电容Cob共基极输出电容。在测反向特性时给定的反向电流硅堆在正弦半波电阻性负载电路中加反向电压规定值时所通过的电流硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流稳压二极管在反向电压下产生的漏电流整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。缺点是电流噪声非线性大耐潮性以及阻值稳定性差。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

  变压器变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件当初级线圈中通有交流电流时铁芯(或磁芯)中便产生交流磁通使次级线圈中感应出电压(或电流)。五、常用电阻器、电位器电位器是一种机电元件他*电刷在电阻体上的滑动取得与电刷位移成一定关系的输出电压。可制成各种力矩计半导体话筒压力传感器等。、热敏干簧继电器的工作原理和特性热敏干簧继电器是一种利用热敏磁性材料检测和控制温度的新型热敏开关。PcW)、A高频大功率管(fMHz,敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线并在旁标注敏感电阻的类型如:tv等。、敏感电阻敏感电阻是指器件特性对温度电压湿度光照气体磁场压力等作用敏感的电阻器。电容器的色标法与电阻相同。用“转”字的拼音字头“z”表示。瓷介微调电容器的Q值高体积也小通常可分为圆管式及圆片式两种。特点是分辩力高耐磨性好寿命较长。黑、棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、金±、银±、无色±当电阻为四环时最后一环必为金色或银色前两位为有效数字第三位为乘方数第四位为偏差。、吸合电流是指继电器能够产生吸合动作的最小电流。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。精度等级与允许误差对应关系:()±、()±、Ⅰ±、Ⅱ±、Ⅲ±、Ⅳ()、Ⅴ()、Ⅵ()一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级根据用途选取。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值电容的损耗主要由介质损耗电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。电路设计基础知识()电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一广泛应用于隔直耦合旁路滤波调谐回路能量转换控制电路等方面。以合字的拼音字头“H”表示!

  效率指次级功率P与初级功率P比值的百分比。查阅有关资料确定使用条件后可查找相关资料找出需要的继电器的型号和规格号。除四个基本部分外有时还加后缀以区别特性或进一步分类。三、主要特性参数、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

  、额定电压在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值一般直接标注在电容器外壳上如果工作电压超过电容器的耐压电容器击穿造成不可修复的永久损坏。Ii发光二极管起辉电流IFRM正向重复峰值电流IFSM正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io整流电流。有氧化锡镍铁酸盐等材料。用字母表示产品的材料:A钽电解、B聚苯乙烯等非极性薄膜、C高频陶瓷、D铝电解、E其它材料电解、G合金电解、H复合介质、I玻璃釉、J金属化纸、L涤纶等极性有机薄膜、N铌电解、O玻璃膜、Q漆膜、T低频陶瓷、V云母纸、Y云母、Z纸介二、电容器的分类按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。

  温度系数越小电阻的稳定性越好。第三部分:多位数字表示器件的登记序号。俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少在此不介绍。对于我们日常接触比较多,如需使用密码登录,在规定条件下能承受的正向最大瞬时电流在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM稳压二极管浪涌电流IZM最大稳压电流。双连电位器有异轴双连电位器和同轴双连电位器无触点电位器无触点电位器消除了机械接触寿命长、可*性高分光电式电位器、磁敏式电位器等。第一部分:O表示半导体器件第二部分:A二极管、C三极管、AP光电二极管、CP光电三极管、AZ稳压管、RP光电器件。第四部分:序号用数字表示表示同类产品中不同品种以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如:RT型普通碳膜电阻a}二、电阻器的分类、线绕电阻器:通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。在正向导通时电流随电压指数的增加呈现明显的非线性特性。而对于线圈所加的工作电压一般不要超过额定工作电压的倍否则会产生较大的电流而把线圈烧毁。电容器偏差标志符号:H、R、T、Q、S、Z。

  串联稳压管BG的基极被稳压二极管D钳定在V,、薄膜电阻器用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。变压器由铁芯(或磁芯)和线圈组成线圈有两个或两个以上的绕组其中接电源的绕组叫初级线圈其余的绕组叫次级线圈。绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。当EC电压过高时,允许误差与精度等级对应关系如下:±、±(或)、±(或)、±Ⅰ级、±Ⅱ级、±Ⅲ级、额定功率:在正常的大气压力KPa及环境温度为-℃~+℃的条件下电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。如p表示pF,锗检波二极管在规定的正向电压VF下通过极间的电流硅整流管、硅堆在规定的使用条件下在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值)硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)正向平均电流IFM(IM)正向峰值电流(正向最大电流)。金属膜电位器金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用。

  、金属玻璃铀电阻器将金属粉和玻璃铀粉混合采用丝网印刷法印在基板上。u表示uF、色标法用色环或色点表示电容器的主要参数。数码从左到右第一、二位为有效值第三位为指数即零的个数单位为欧。、测量吸合电压和吸合电流找来可调稳压电源和电流表给继电器输入一组电压且在供电回路中串入电流表进行监测。线圈的Q值与导线的直流电阻骨架的介质损耗屏蔽罩或铁芯引起的损耗高频趋肤效应的影响等因素有关。五、继电器的选用先了解必要的条件:①控制电路的电源电压能提供的最大电流②被控制电路中的电压和电流③被控电路需要几组、什么形式的触点。稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用其伏安特性见图,光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、二极管、三极或具有两个pn结的其他器件、具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收,三、常用电容器、铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成薄的化氧化膜作介质的电容器因为氧化膜有单向导电性质,金属膜电阻器。分布电容的存在使线圈的Q值减小稳定性变差因而线圈的分布电容越小越好。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低阻值受温度影响大由老化特性较少使用。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)正向过载电流IL光电流或稳流二极管极限电流ID暗电流IB单结晶体管中的基极调制电流IEM发射极峰值电流IEB双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB双基极单结晶体管中发射极向电流ICM最大输出平均电流IFMP正向脉冲电流IP峰点电流IV谷点电流IGT晶闸管控制极触发电流IGD晶闸管控制极不触发电流IGFM控制极正向峰值电流IR(AV)反向平均电流IR(In)反向直流电流(反向漏电流)。通过串联就可获得更多的稳定电压稳压管的应用:、浪涌保护电路(如图):稳压管在准确的电压下击穿,开关的电弧也就被消除了这个应用电路在工业上用得比较多,美国半导体分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。、色码电感器色码电感器是具有固定电感量的电感器其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成由于消除了空气间隙温度系数大为下降电容稳定性也比箔片式高。电路设计基础知识()电感线圈电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上导线彼此互相绝缘而绝缘管可以是空心的也可以包含铁芯或磁粉芯简称电感!

  热敏干簧继电器不用线圈励磁而由恒磁环产生的磁力驱动开关动作。金属玻璃铀电位器用丝网印刷法按照一定图形将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上经高温烧结而成。、贴片电阻SMT片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式他的电阻体是高可*的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成电极采用银钯合金浆料。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。且需求量比较大的施工合同,使继电器J吸合负载RL就与电源分开INCLUDEPICTUREhttp:、电视机里的过压保护电路(如图):EC是电视机主供电压,第五部分:用字母表示器件分档。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。在低气压工作时最高工作电压较低。特点是:阻值范围宽耐热性好过载能力强耐潮耐磨等都很好是很有前途的电位器品种缺点是接触电阻和电流噪声大。注意器具的容积。